New SiC Photodioden mit erweitertem Wellenlängenbereich

Unsere neue JEA0,1X Serie mit "Extended-SiC" Serie zeigt Empfindlichkeit bis 400 nm

Unsere JEA Photodiodenserie wird durch SIC-Halbleitermaterial mit erweiterter Empfindlichkeit ergänzt ("Extended SiC").

Siliziumcarbid mit 6H Kristallstruktur ermöglicht die Detektion bis um 400 nm, Standard-Siliziumcarbid besitzt über 360 nm Wellenlänge keine signifikante Empfindlichkeit mehr. 

Als momentan einziger Hersteller weltweit, bieten wir SiC-Photodioden aus Eigenentwicklung, die den vollen UV Bereich bis 400 nm abdecken.

Mehr Informationen zu der Serie JEA0,1X werden im Datenblatt gezeigt.

zurück