New SiC Photodioden mit erweitertem Wellenlängenbereich
Unsere neue JEA0,1X Serie mit "Extended-SiC" Serie zeigt Empfindlichkeit bis 400 nm
Unsere JEA Photodiodenserie wird durch SIC-Halbleitermaterial mit erweiterter Empfindlichkeit ergänzt ("Extended SiC").
Siliziumcarbid mit 6H Kristallstruktur ermöglicht die Detektion bis um 400 nm, Standard-Siliziumcarbid besitzt über 360 nm Wellenlänge keine signifikante Empfindlichkeit mehr.
Als momentan einziger Hersteller weltweit, bieten wir SiC-Photodioden aus Eigenentwicklung, die den vollen UV Bereich bis 400 nm abdecken.
Mehr Informationen zu der Serie JEA0,1X werden im Datenblatt gezeigt.