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SiC-Dioden im TO-Gehäuse

 

 


SiC-Dioden mit 2 mm² Chip im TO18-Gehäuse

 

SiC Dioden mit 2 mm² Chip im TO5-Gehäuse

Siliziumcarbid (SiC) UV-Photodioden weisen im Vergleich zu Bauelementen auf Basis Si, TiO2, GaN oder Diamant unschlagbare Vorteile auf:

  • sehr geringer Dunkelstrom (fA-Bereich)
  • hohe UV-Empfindlichkeit von 200 - 400nm (tageslichtunempfindlich)
  • voll hermetisches TO-Gehäuse
  • hervorragende Langzeitstabilität auch unter hohen UV-C-Strahlungsdosen (bis zu 1000 Wm-2)
  • extrem temperaturstabil (Temperaturkoeffizient Tk < 0,06%/K), Dauereinsatztemperaturen bis +150°C)
  • spezielle Hoch- und Tieftemperaturversionen optional erhältlich

 

Andere Gehäusevarianten, Einsatztemperaturen oder kundenspezifische Modifikationen bieten wir auf Anfrage.