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SiC-Photodioden

Siliziumcarbid (SiC) UV-Photodioden weisen im Vergleich zu Bauelementen auf Basis Si, TiO2, GaN oder Diamant unschlagbare Vorteile auf:

  • tageslichtunempfindlich: spektrale Empfindlichkeit nur im Bereich von 200 bis 400 nm
  • hervorragende Langzeitstabilität auch unter hohen UV-C-Strahlungsdosen (bis zu 1000 Wm-2)
  • extrem temperaturstabil (Temperaturkoeffizient Tk < 0,06%/K), Dauereinsatztemperaturen bis +150°C)
  • Anpassung der spektralen Empfindlichkeit durch weltraumerprobte Filtertechnologien für UV-A, UV-B, UV-BC und UV-C und nach Kundenwunsch
  • bei Bedarf mit integrierter Signalaufbereitung und Auswerteelektronik
  • eigene SiC Chipentwicklung seit 2008
  • typische Anwendungsfälle von SiC Photodioden: Flammüberwachung, Wasserentkeimung- und Lasermonitoring, Erythem-Sensoren

Die zuverlässigen Eigenschaften unserer Bauelemente werden durch langjähriges Know-How immer weiter verbessert. Angefangen bei der eigenen Entwicklung der Halbleiterchips, über präzise Sensorelektronik bis zu UV-erprobten Aufbau- und Verbindungstechnologien, bieten wir kompetente Beratung auch für Ihr Projekt. Sie finden bei uns die größte Auswahl von optoelektronischen Komponenten auf SiC-Basis und können aus über 100 verschiedenen SiC-Komponenten die beste Lösung für Ihren Einsatzzweck auswählen. Für kundenspezifische Anpassungen können Sie uns jederzeit gern kontaktieren.