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SiC-Photodioden

  • SiC-Photodioden

Siliziumcarbid (SiC) UV-Photodioden weisen im Vergleich zu Bauelementen auf Basis Si, TiO2, GaN oder Diamant unschlagbare Vorteile auf

  • spektrale Empfindlichkeit nur im Bereich von
    200 bis 400nm, es ist keine Blockung visueller und langwelliger Strahlungsanteile erforderlich
  • hervorragende Langzeitstabilität auch unter hohen
    UV-C- Strahlungsdosen (bis zu 1000Wm-2)
  • extrem temperaturstabil , (Temperaturkoeffizient
    Tk<-0,06%/K), Dauereinsatztemperaturen bis +150°C)
  • Anpassung der spektralen Empfindlichkeit durch Weltraumerprobte
    Filtertechnologien für UV-A, UV-B, UV-BC und UV-C
  • integrierte Signalaufbereitung/Auswerteelektronik

Es wird ausdrücklich darauf hingewiesen, dass die einzigartigen Eigenschaften unserer Bauelemente
nur durch Kombination UV-erprobter Aufbau- und Verbindungstechnologien, die von der ifw GmbH entwickelt wurden, und spezieller Auswahlkriterien für die SiC-Chips, erreichbar sind. Sie finden bei
uns das breiteste Produktsortiment an SiC-Photodioden (UV-Fotodioden und UV-Sensoren).

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Ansprechpartner
Leiter Produktion/Entw.
Herr Dipl.-Ing. Peter Eisenhardt
Tel. 03641-204117
E-Mail senden

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