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SiC-Photodioden
SiC-Photodioden
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SiC-Photodioden
- spektrale Empfindlichkeit nur im Bereich von
200 bis 400nm, es ist keine Blockung visueller und langwelliger Strahlungsanteile erforderlich - hervorragende Langzeitstabilität auch unter hohen
UV-C- Strahlungsdosen (bis zu 1000Wm-2) - extrem temperaturstabil , (Temperaturkoeffizient
Tk<-0,06%/K), Dauereinsatztemperaturen bis +150°C) - Anpassung der spektralen Empfindlichkeit durch Weltraumerprobte
Filtertechnologien für UV-A, UV-B, UV-BC und UV-C - integrierte Signalaufbereitung/Auswerteelektronik
Es wird ausdrücklich darauf hingewiesen, dass die einzigartigen Eigenschaften unserer Bauelemente
nur durch Kombination UV-erprobter Aufbau- und Verbindungstechnologien, die von der ifw GmbH entwickelt wurden, und spezieller Auswahlkriterien für die SiC-Chips, erreichbar sind. Sie finden bei
uns das breiteste Produktsortiment an SiC-Photodioden (UV-Fotodioden und UV-Sensoren).
© ifw 2009
News
SiC-Photodioden auf dem Weg zum Mars
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